Risen Energy publica el documento «Desarrollo y aplicación industrial de obleas de silicio ultrafinas»

Risen Energy publica el documento «Desarrollo y aplicación industrial de obleas de silicio ultrafinas»

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–  Risen Energy publica el documento técnico «Desarrollo y aplicación industrial de obleas de silicio ultrafinas»

NINGBO, China, 15 de enero de 2024 /PRNewswire/ — La industria fotovoltaica, como sector impulsado por la tecnología, ha pasado por varias rondas de iteraciones tecnológicas bajo los inmutables principios de desarrollo subyacentes de reducción de costes y mejora de la eficiencia. Técnicamente, a medida que la eficiencia de las células solares tipo p se acerca a su punto máximo, las células solares tipo n se han convertido en la nueva corriente principal de la era, aprovechando su mayor eficiencia de conversión. La tecnología de heterounión (HJT), como una de las rutas principales para las células solares de tipo n, ha atraído una amplia atención por sus evidentes y considerables ventajas de reducción de costes.

Risen Energy, líder mundial en soluciones integrales de energía fotovoltaica inteligente, previó este cambio desde el principio e inició la investigación y el desarrollo de HJT en 2019. A lo largo de los años, ha invertido recursos sustanciales en la investigación y producción en masa de la tecnología HJT, habiendo asegurado dos años consecutivos de liderazgo global en envíos de HJT y batiendo cuatro récords mundiales consecutivos de eficiencia de módulos HJT. Mientras tanto, Risen Energy también ha llevado a cabo una investigación en profundidad sobre varios factores clave que restringen la reducción de costes para la producción en masa a gran escala. A finales de 2022, logró el desarrollo y la producción en masa con éxito de obleas de silicio ultrafinas, tecnología de barra colectora cero, pasta de metalización con bajo contenido de plata y tecnología de interconexión de celdas Hyper-link, introduciendo en el mercado los productos 700Wp+ HJT Hyper-ion.

Para respaldar la continua reducción de costes y la producción en masa de productos HJT en toda la industria, Risen Energy ha recopilado las experiencias y reflexiones acumuladas durante el proceso de producción en masa de HJT en un documento técnico para toda la industria. En agosto de 2023, publicó el documento técnico «Desarrollo y aplicación industrial de pastas de metalización con bajo contenido de plata», en el que se comparten conocimientos sobre la aplicación de pastas de metalización con bajo contenido de plata. Esta vez, Risen Energy está lista para arrojar luz sobre su experiencia en el desarrollo y aplicación industrial de obleas de silicio ultrafinas.

Como es bien sabido, las obleas de silicio, las pastas de metalización y los costes de los equipos constituyen más del 90 % del coste total de las células solares HJT, y los costes de las obleas de silicio representan un significativo 55 %. Por lo tanto, es evidente que reducir los costes de las obleas de silicio es uno de los medios principales para impulsar la producción en masa de HJT, y hacer más finas las obleas de silicio es sin duda el método más directo y eficaz reconocido por la industria. Risen ha logrado avances significativos en el desarrollo técnico y la aplicación industrial de obleas de silicio ultrafinas después de años de investigación e inversión. Actualmente, Risen Energy ha logrado la producción en masa de células y módulos solares utilizando obleas de silicio ultrafinas de 110 μm y tiene la capacidad de producir obleas con espesores inferiores a 100 μm.

A través de la publicación de este documento técnico, Risen Energy espera compartir sus experiencias y reflexiones sobre la aplicación y producción en masa de obleas de silicio ultrafinas, contribuyendo a la reducción continua de los costes y la producción en masa de productos HJT en la industria.

Si quieres saber más al respecto, haz clic en el enlace: https://en.risenenergy.com/uploads/20240115/Risen%E2%80%99s%20HJT%20Hyper-ion_A%20White%20Paper%20on%20Development%20and%20Industrial%20Application%20of%20Ultra-Thin%20Silicon%20Wafers_V2.3_20231220_ycw.pdf

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